IMEC:10nm以后若要跟随摩尔定律则须采用新材料、新架构

发布时间:2012年06月08日 11:06    发布者:李宽
关键词: 10nm , 线宽 , 制程
在可预见的未来,CMOS技术仍将持续微缩脚步,然而,当我们迈入10nm节点后,控制工艺复杂性和变异,将成为能否驱动技术向前发展的关键,IMEC资深工艺技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Forum上表示。

明天的智能系统将会需要送彩金500的网站大白菜的运算能力和储存容量,这些都远远超过今天的处理器和存储器所能提供的极限。而这也推动了我们对芯片微缩技术的需求。

在演讲中,Steegen解释了IMEC如何在超越10nm以后继续推动芯片微缩。在10nm之后,或许还能跟着摩尔定律(Moore's Law)的脚步,并沿用光刻技术,但在这之后,就必须采用的材料和新电子游艺免费申请彩金架构了。

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Steegen指出,CMOS仍然可以微缩,只是更加困难。当达到次15nm时,就会需要更先进的超紫外光(EUV)和更先进的图案技术。这也意味着势必要朝3D元件架构,如FinFET元件转移,而这又需要在材料方面的创新,如具备更高迁移率通道的崭新材料。

摩尔定律仍会持续,但Steegen指出,复杂性、成本和变异性只会不断提升。新技术和新的电子游艺免费申请彩金解决方案都必须同时进行优化。

“好消息是CMOS目前仍持续微缩,从平面硅元件架构(20nm)向FinFET元件架构(14nm)转移,以便更好地控制短沟道效应。然而,当你引进新材料时,变异性就会遽增,”她表示。

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在会后与电子工程专辑的访谈中,Steegen描述了送彩金500的网站大白菜有关变异问题的细节。

“在转移到完全耗尽型沟道元件,如FinFET时,我们将能大幅减少通道掺杂,进而减少与随机掺杂有关的变异问题,”Steegen解释道。“这也有助于减少元件失配情况。然而,随着半导体元件朝非平面架构方面发展,新的变异也随之出现。包括侧壁传导、增加的表面体积比、陷阱(trap)以及由缺陷引发的变异(如低频噪声、BTI可靠性等)都变得更加重要。

她接着指出,“这些新的因素有些会出现在10nm节点。而我们希望新材料和更先进的栅极堆叠模组能够再推升元件性能。更具挑战性的整合(如选择性的异质磊晶生长)都可能导致新的随机缺陷。此外,材料也可能会改变沟道载流子和陷阱/缺陷间的相互作用,进而产生可靠性和噪声等变化。

当被问及要怎么做才能缓解变异问题时,Steegen解释道,IMEC正在从提高工程材料品质方面着手。

这也关系到基础的沟道材料能带电子游艺免费申请彩金研究工作,这些研究都和最佳化元件的可靠性和性能有关。例如,她指出,“我们正在进行运用自由植入量子阱硅化锗(SiGe)沟道元件来改善NBTI可靠性的研究。另外,我们也正在研究14nm以下应用的FinFET元件。”

Steegen表示,作为该计划的一部分,IMEC正在定义电子游艺免费申请彩金中的范式转变。研究人员们正在探讨可能的解决方案,其中有一些会需要EDA工具的支持。为此,IMEC也与EDA供应商就3D的可测试性电子游艺免费申请彩金、TCAD、P&R的选择对光刻带来的影响、OPC、3D系统的电子游艺免费申请彩金开发/试验等不同领域进行合作。

在会议结束之际,Steegen重由:“必须从电子游艺免费申请彩金开始就将“变异性和成本”纳入考量。在半导体产业中,我们总是不断地重塑自己扮演的角色。而未来,这个过程也将会一遍又一遍地循环下去。”
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