半导体分立器件I-V特性测试方案

发布时间:2019年09月25日 15:09    发布者:安泰测试设备
关键词: 半导体 , 集成电路 , 新材料 , 分立器件IV特性

半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的 双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲线,来决定器 件的基本参数。微电子器件种类繁多,引脚数量和待 测参数各不相同,除此以外,新材料和新器件对测试 设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低 电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。

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分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验,帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。

随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。

半导体分立器件I-V特性测试方案,泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 (SMU)为核心测试设备,配备使用简便灵活,功能 丰富的CycleStar测试软件,及精准稳定的探针台,为客户提供了可靠易用的解决方案,极大的提高了用户 的工作效率。

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吉时利方案特点

  丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需要的待测件类型;

测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省了大量的时间;

精准稳定的探针台,针座分辨率可高达0.7um,显微镜放大倍数最高可达x195倍;

最高支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端口器件测试。

测试功能:

二极管特性的测量与分析

极型晶体管BJT特性的测量与分析  

MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析  

MOS 器件的参数提取

系统结构:

系统主要由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例,共需要以下设备:

1、两台吉时利 2450 精密源测量单元

2、四根三同轴电缆

3、夹具或带有三同轴接口的探针台

4、三同轴T型头

5、上位机软件与源测量单元(SMU)的连接方式如下图所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。

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系统连接示意图

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典型方案配置

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西安某高校现场演示图

安泰测试已为西安多所院校企业和研究所提供吉时利源表现场演示并获得客户的高度认可安泰测试将和泰克吉时利厂家一起为客户提供更优质的服务和全面的测试方案为客户解忧

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