北大研制出世界首款10纳米碳纳米管CMOS器件

发布时间:2015年05月15日 11:05    发布者:eechina
关键词: CMOS器件 , 碳纳米管
近日,在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下,北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比,该器件速度是其5倍,而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路

下一步,该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺,建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台,并基于该平台开发碳纳米管CPU,最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。

--中化新网
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hyfly 发表于 2015-5-28 15:33:24
这才是地地道道的好消息
rightrule 发表于 2015-6-1 12:58:46
目前领先于世界,与大规模商用时领先于业界,没有必然的逻辑性;北大是作基础研究的,产业化,或者与某个领域的领先者,将这项技术成功地应用上去,才是重中之重。
wuxianghua1988 发表于 2015-6-13 11:50:21
现在的硅基已经在研究10nm制成工艺了,不知道这个啥时候能出来啊!!!
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