Intel展示新材料 极紫外光刻走向实用

发布时间:2010年06月17日 11:06    发布者:嵌入式公社
关键词: 光刻
新式半导体光刻技术中,极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一,不过其实现难度也相当高,从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年, 仍然未能投入实用。极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist),也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射 非常敏感,这样才能刻出图案,但同时又必须能够抵御随后的蚀刻和其他处理步骤。

Intel公司内部一直在用微曝光设备(MET)对各种不同材料进行试验和评估,目的就是寻找一种能够同时满足高敏感度、高分辨率、低线宽粗糙度 (LWR)的光刻胶材料,最近终于取得了重大突破。

在国际光学工程学会(SPIE)举行的光刻大会上,Intel就进行了这方面的展示,使用一种正型化学放大光刻胶(CAR)结合极紫 外底层,以及一种相应的漂洗剂,最终达成了22nm半节距(half pitch)分辨率,并满足敏感度和LWR要求。

Intel据此骄傲地宣布,经过数十年的不懈努力,极紫外光刻技术已经从研究层面迈向实用,当然了,真正商用仍 尚需时日。

1.jpg
蓝色部分即代表光刻胶

来源:驱动之家
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lnblank 发表于 2010-6-30 09:51:17
又有新进展了
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